igbt的概念最早是在7o年代末提出来的，8o年代初由美国ge公司和rca公司分别研制成功。从1986年起，igbt开始得到正式生产并逐渐形成了系列化。在随后这些年，igbt的技术不断更新，1988年出现的是第一代，称为平面穿透型；199o年出现了第二代，为改进的平面穿透型；1992年为第三代，即沟槽型；1997年出现了第四代，称为非穿透型；2oo1年出现了电场截止型；2oo3年出现了沟槽型电场截止型……

半导体厂商们在igbt技术上不断推陈出新，是有其原因的，那就是igbt的使用范围十分广泛。大到轨道交通、航空航天、电力、石油等国民经济支柱部门，小到变频家电、数码相机、电磁炉等消费电子产品，统统都能够找到igbt的身影。这样庞大的市场，自然能够引得无数天下英雄竞折腰。

然而，要掌握igbt的制造技术，也并非易事。igbt是一种工作原理非常复杂的器件，几乎集成了所有半导体器件的基本结构。要制造出满足要求的igbt器件，涉及到光刻、氧化、离子注入、热扩散、淀积多晶硅等一系列的微电子制造工艺。为了降低导通电阻，工程师们不断降低单元胞的尺度、增加并联的元胞数量，为此，igbt的制造工艺规则从5微米下降到了o.5微米，而晶片尺寸则由4英寸提高到6英寸、8英寸。

所有这些生产工艺，对于当年的中国来说，都是十分困难的，而且几乎没有在短期内形成突破的可能性。也正因为此，周林磊并不对秦海寄予太多的希望，在他看来，秦海能够解决级电容、导线圈、永磁材料等障碍，就已经是十分难能可贵了，再把igbt这样的困难强加在秦海身上，未免有些太强人所难了。

听到周林磊的话，秦海笑着问道：“周工，航母弹射器上使用的igbt器件，可不是寻常货色，国外能卖给咱们吗？”

“事在人为吧。”周林磊其实也没有太多的把握，只能这样回答道，“实在买不到大功率的igbt，有一些功率相对低一些器件，通过串联的方法组合起来，也勉强能够达到要求了。”

“可是这样一来，我们还是受制于人啊，周工真的不想自己掌握igbt的核心技术？”秦海继续问道。

周林磊道：“怎么可能不想？可是，半导体加工工艺上的困难有多大，小秦你了解吗？咱们国家的半导体技术和国外的差异可不是一星半点，而且这方面的技术，也不是随便冲一下就能够冲上去的。”

“周工说得对。”秦海道，“不过，我们可以试一试嘛，igbt这么大的市场，咱们完全拱手送给国外，太可惜了。日后咱们要搞自己的输变电技术、高铁技术，如果igbt这东西完全掌握在别人手上，人家随便卡一下咱们的脖子，咱们就难受了。”

“你打算怎么做？”周林磊认真起来了，他听出秦海并不是随便说说而已，而是有了一些自己的想法。

秦海道：“我打算双管齐下，一方面动员国内的半导体研究机构和厂家共同攻关，另一方面则是引进技术，缩短我们与国外的差距。用三到五年的时间，初步形成我们自主的igbt产业，先满足自己的需要，然后再考虑追赶世界先进水平。”

“引进技术这条路子，恐怕走不通。”周林磊断言道，“其实科工委这边早就有这个想法了，也找国外几家在igbt技术上领先的企业谈过，希望能够引进一些技术。可是，人家根本就不愿意和我们合作，涉及到技术转让的问题，一概免谈。”

“我知道这一点。”秦海道，“国外厂商看准了咱们不掌握igbt的技术，希望拿这个来向我们卖高价，当然不会愿意转让技术。不过，如果我们直接把拥有这类技术的企业买下来呢？那么转让不转让技术，岂不就是咱们说了算了？”

“买下来？”周林磊咂舌了，“小秦，你这也太异想天开了吧？几家国际顶尖的igbt生产厂商，都是半导体领域的巨头，别说他们不会出售，就算要出售，以咱们国家的财力，也买不起吧？”

“哈哈，周工，你还真说对了。不过，这些顶尖的厂商咱们买不起，二线厂商咱们是不是可以试试呢？”秦海笑呵呵地问道。

“怎么，小秦，你有目标了吗？”周林磊听出了秦海话中有话，忍不住问道。

秦海郑重地点了点头，说道：“没错，我已经盯上了一家，英国的老牌半导体企业，尼斯公司。”(未完待续!